智能HTOL测试机供应商

导致偏移量发生的原因是在htol可靠性验证过程中闪存参考单元会有空穴丢失，而丢失的空穴是在制作闪存的生产工艺过程中捕获(引入)的，短期内无法消除。而闪存产品从工程样品(es，engineeringsample)到客户样品(cs，customersample)的时间不容延期。从测试端找出解决方案非常迫在眉睫。本发明实施例的闪存htol测试方法对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除，以在所述闪存参考单元中引入电子；对所述闪存进行htol测试，所述引入电子在所述htol测试过程中存在丢失，以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。上海顶策科技有限公司智能一体化HTOL测试机TH801可以为芯片HTOL测试节省更多时间、FA成本。智能HTOL测试机供应商

    那么IC在使用期的寿命测试中的HTOL是什么呢？使用期的寿命测试又包含高温工作寿命（HTOL）和低温工作寿命（LTOL），对于亚微米级尺寸的器件，热载流子效应对于器件寿命有着***的影响，低温工作时相对比较苛刻，所以像存储器、处理器等纳米级别工艺的产品通常需要进行低温工作寿命测试。而对于。进行HTOL（HighTemperatureOperationLife）测试的目的就是为了确定长时间的电气偏差和温度对器件的影响，评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力，也就是在正常工作的寿命期间潜在的固有故障被加速，这样就可以在相对比较短的时间内模拟出产品的正常使用寿命。HTOL是在产品放行和批量生产前进行评估，对应浴缸曲线曲线的UsefulLife期，通常是抽样进行的。此外，HTOL还可以用于可靠性监控以及对存在潜在缺陷的产品进行风险评估。 青浦区HTOL测试机哪里有卖的上海顶策科技有限公司，20年以上的丰富测试技术积累及运营经验，拥有多项发明专利及软件著作权。

本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除的电荷分布示意图；发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除后的电荷分布示意图。图8为本发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除循环后再进行htol测试的输出电流iref分布图。其中，具体标号如下：100-衬底；101-源极；102-漏极；103-隧穿氧化层；104-浮栅；105-栅间介质层；106-控制栅；107-侧墙；具体实施方式本发明提供一种闪存htol测试方法，以下结合附图和具体实施例作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精细的比例，*用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图，

    高温工作寿命实验（Hightemperatureoperatinglifetest:HTOL）测试目的：芯片处于高温条件下，加入动态信号，并长时间工作，以评估其使用寿命，并确定其可靠性。测试条件：结温(Tj)≧125℃，电压Vcc≧Vccmax，测试时间：1000hrs样品数：77ea/lot,3lots测试读点：168、500、1000hrs参考规范：、JESD22-A108JESD22-A108B：Temperature,Bias,andOperatingLifeJESD85：METHODSFORCALCULATINGFAILURERATESINUNITSOFFITSJESD47K：Stress-Test-DrivenQualificationofIntegratedCircuitsJESD74：EarlyLifeFailureRateCalculationProcedureforSemiconductorComponents芯片工作寿命试验、老化试验(OperatingLifeTest)，为利用温度、电压加速方式，在短时间试验内，预估芯片在长时间可工作下的寿命时间(生命周期预估)。BI(Burn-in)/ELFR(EarlyLifeFailureRate)：评估早夭阶段的故障率或藉由BI手法降低出货的早夭率-DPPM(DefectPartsPer-Million)，针对失效模式中的InfantMortality，一般测试低于48小时，车规级芯片需要100%BI测试。HTOL(HighTemperatureOperatingLife)：评估可使用期的寿命时间-FIT/MTTF，针对失效模式中的Wearout，一般需要测试1000小时，属于抽样测试。 TH801智能老化系统，监测数据异常自动报警，实时发现问题并介入分析，可以整体降低30~50%的成本。

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